“写入速度比U盘快一万倍 复旦研发第三类存储技术”

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北京时间4月10日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队以“准非易失性应用的范德堡结构半浮网存储”为主题，在《自然纳米技术》上在线发表了文案，提出了第三类存储技术的新

张卫、周鹏团队开发的二维半导体准非易失性存储原型器件具有非凡的意义，开创了第三类存储技术。 它的写入速度比现在的u盘快一万倍，数据的存储时间也可以自己决定，到了比较有效的时期就会自动消失。 这也解决了国际半导体电荷存储技术难以兼顾“写入速度”和“非易失性”的课题。

据悉，目前半导体电荷存储技术主要有两种，第一种是易失性存储，例如计算机中的存储器，一旦断电，数据很快就会消失。 第二种类型是非易失性存储器，例如人们经常使用的USB存储器，在写入数据后，10年内可以不留下额外的能量。 前者可以在几纳秒左右写入数据，第二种电荷存储技术需要几微秒到几十微秒来保留数据。

此次开发的新电荷存储技术，在满足10纳秒数据写入速度的同时，实现了按需定制( 10秒-10年)可控的数据准非易失性特征。 这一新特点不仅可以通过高速内存大幅降低存储功耗，还可以在数据过期后自然消失，在特殊的APP场景中处理了机密性和传输矛盾。

这是面向未来的新技术。 目前，世界各国的科学家都在尝试利用以石墨烯为中心的二维材料制作“超级计算机”，以“更高的计算速度、更大的存储空之间”为目标。 复旦团队此次开发的第三类存储技术，可以为未来二维材料制作的超级计算机提供最高效、最大容量的存储。

“例如无人驾驶汽车、智能交通违章通知系统等，都追求计算速度快、存储容量大的特点，第三类存储技术将来将得到广泛应用。 ’张卫说，计算机的内存速度是影响计算执行速度的关键。

以 维半导体为基础的准非易失性存储器，可以基于大规模的合成技术进行高密度集成，在极低功耗、高速存储、数据比较有效期的自由度利用等多个行业中发挥着重要的意义。

来源：企业信息港